BSS192P L6327參數：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：250V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：190mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 歐姆 @ 190mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 130µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.1nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：104pF @ 25V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-243AA供應商器件封裝：PG-SOT89-4
